A method for growing GZO (ZnO:Ga) crystals, 2016.08.11, the United States Patent

所属单位：

华侨大学

专利类型：

发明

专利状态：

授权专利

申请号：

US201414780444

授权号：

0230308 A1

是否职务专利：

否

申请日期：

2014-12-31

公开日期：

2016-08-11