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杨骁
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副教授

性别:男

毕业院校:西安交通大学

学历:博士研究生毕业

学位:工学博士学位

入职时间:2009-08-05

办公地点:机电大楼B539

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射频模拟集成电路设计

一直从事射频模拟集成电路方面的研究,兴趣在光通讯电芯片,高精度ΣΔ ADC、高速Pipelined ADC等领域。团队承担过25Gbps CMOS TIA 芯片,25Gbps CMOS CDR芯片,56Gbps PAM4 TIA芯片,200MHz 10bit Pipelined ADC,高精度ΣΔ ADC等项目。

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