华侨大学陆静--中文主页-- Study on the Machining Parameters in Polishing Single-crystal SiC Wafers with SG Films

陆静

学位：工学博士学位
职称：教授
所在单位：制造工程研究院

博士生导师

主要任职：厦门市光电材料加工重点实验室副主任
学历：博士研究生
学位：工学博士学位
所在单位：制造工程研究院
电子邮箱：
其他任职：国际磨粒加工委员会（ICAT）青年委员，中国机械工程学会生产工程分会光整加工专业委员会理事，稀土抛光材料与界表面调控加工技术专业委员会副主任委员，福建省机械工程学会标准委员会委员

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Study on the Machining Parameters in Polishing Single-crystal SiC Wafers with SG Films

点击次数：

发表刊物：

Key Engineering Materials

是否译文：

否

发表时间：

2012-10-31

第一作者：

徐西鹏,黄辉,方从富,陆静,杜志(学)

上一条： Effect of Fabrication Conditions on Ultra-fine Abrasive Polishing Pad

下一条： Controllable Fabrication and Characterization of Si-coated Multiwalled Carbon Nanotubes

扫一扫用手机查看