华侨大学陆静--中文主页-- Removal mechanism of 4H-and 6H-SiC substrates (0001 and 0001 over bar ) in mechanical planarization machining

陆静

教授

博士生导师

学位：工学博士学位
所在单位：制造工程研究院
主要任职：厦门市光电材料加工重点实验室副主任
学历：博士研究生
电子邮箱：
其他任职：国际磨粒加工委员会（ICAT）青年委员，中国机械工程学会生产工程分会光整加工专业委员会理事，稀土抛光材料与界表面调控加工技术专业委员会副主任委员，福建省机械工程学会标准委员会委员

给我点赞：

详细 >>

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Removal mechanism of 4H-and 6H-SiC substrates (0001 and 0001 over bar ) in mechanical planarization machining

点击次数：

所属单位：制造工程研究院

发表刊物：PROCEEDINGS OF THE INSTITUTION OF MECHANICAL ENGINEERS PART B-JOURNAL OF ENGINEERING MANUFACTURE

项目来源：国家自然科学基金项目

论文类型：期刊论文

是否译文：否

第一作者：陆静

通讯作者：罗求发,徐西鹏,黄辉,姜峰

上一条：Fabrication of fixed polishing tool by knitting diamond/CNT fiber threads on cloth

下一条：Pollution-Free Approaches for Highly Efficient Sapphire Substrate Processing by Mechanical Chemical Polishing